Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры

В коллективной монографии ведущих американских и западноевропейских ученых дано изложение физических и технологических аспектов проблемы создания полупроводниковых тонкопленочных структур - одиночных гетеропереходов, структур с квантовыми ямами и сверхрешеток (в том числе квантовых) методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). В книге рассмотрены основные принципы МЛЭ, конкретные способы создания различных гетероструктур методом МЛЭ, электронные свойства гетероструктур, результаты по реализации приборов с гетеропереходами (гетеролазеров, фотоприемников и сверхбыстродействующих полевых транзисторов).
Для специалистов в области физики полупроводников и полупроводниковой электроники.